на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN340P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDN340P за ціною від 5.93 грн до 35.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN340P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
на замовлення 105061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN340P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 127255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 605 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDN340P | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FDN340P Код товару: 191356 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |