Інші пропозиції FDN340P за ціною від 2.05 грн до 260.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN340P | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | UMW |
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 76016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 47250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5967 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | UMW |
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
на замовлення 22539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN340P | onsemi |
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 80239 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDN340P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 88402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDN340P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 88402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN340P | On Semiconductor |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V Транзистори |
на замовлення 3 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| FDN340P |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.55 грн |
| 9000+ | 2.05 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.36 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.32 грн |
| 6000+ | 9.07 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 40+ | 7.55 грн |
| 57+ | 5.37 грн |
| 100+ | 4.38 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2725+ | 12.97 грн |
| 10000+ | 11.56 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 76016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2725+ | 12.97 грн |
| 10000+ | 11.56 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 47250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 674+ | 21.01 грн |
| 3000+ | 13.62 грн |
| 6000+ | 13.49 грн |
| 9000+ | 11.23 грн |
| 27000+ | 10.37 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 31.61 грн |
| 25+ | 25.33 грн |
| 50+ | 22.06 грн |
| 75+ | 19.62 грн |
| 100+ | 17.70 грн |
| 250+ | 11.99 грн |
| 500+ | 8.97 грн |
| 1000+ | 7.63 грн |
| 1500+ | 7.21 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: UMW
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.62 грн |
| 14+ | 22.27 грн |
| 50+ | 16.14 грн |
| 100+ | 13.28 грн |
| 500+ | 9.98 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 44.95 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 22539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.46 грн |
| 12+ | 27.02 грн |
| 50+ | 19.67 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
| 500+ | 12.24 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 80239 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 88402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 88402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDN340P |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V Транзистори
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 260.01 грн |








