FDN340P Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.33 грн |
| 6000+ | 2.00 грн |
| 9000+ | 1.88 грн |
| 15000+ | 1.63 грн |
| 21000+ | 1.55 грн |
| 30000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN340P Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDN340P за ціною від 2.92 грн до 45.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN340P | Виробник : UMW |
Description: SOT-23 MOSFETS ROHSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
на замовлення 92207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 20V 3A 1W 70M@4.5V,2A 1V 1 PIECEPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 77516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : UMW |
Description: SOT-23 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 88961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2357 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P Код товару: 191356
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
на замовлення 92207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN340P | Виробник : onsemi |
MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 33472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 88961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| FDN340P | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
FDN340P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |





