на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN342P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDN342P за ціною від 12.72 грн до 70.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDN342P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDN342P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDN342P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V |
на замовлення 7281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN342P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |