FDN352AP onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.99 грн |
| 6000+ | 9.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN352AP onsemi
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDN352AP за ціною від 7.95 грн до 50.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDN352AP | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 88635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 32445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDN352AP | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET |
на замовлення 162697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 32445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : onsemi |
MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET |
на замовлення 31198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 82416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN352AP | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V |
на замовлення 38727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|