Продукція > ONSEMI > FDN352AP
FDN352AP

FDN352AP onsemi

fdn352ap-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.20 грн
6000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN352AP onsemi

Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN352AP за ціною від 8.04 грн до 51.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN352AP FDN352AP onsemi / Fairchild FDN352AP_D-2312624.pdf MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.80 грн
13+26.02 грн
100+15.93 грн
500+12.48 грн
1000+10.36 грн
3000+8.88 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP onsemi FDN352AP-D.PDF MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.97 грн
12+27.32 грн
100+16.28 грн
500+12.90 грн
1000+11.70 грн
3000+8.46 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP ONSEMI fdn352ap-d.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.24 грн
50+31.08 грн
100+15.95 грн
500+12.29 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 33487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+30.77 грн
100+19.75 грн
500+14.09 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP_D-2312624.pdf
FDN352AP
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.80 грн
13+26.02 грн
100+15.93 грн
500+12.48 грн
1000+10.36 грн
3000+8.88 грн
9000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP-D.PDF
FDN352AP
Виробник: onsemi
MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.97 грн
12+27.32 грн
100+16.28 грн
500+12.90 грн
1000+11.70 грн
3000+8.46 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
FDN352AP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.24 грн
50+31.08 грн
100+15.95 грн
500+12.29 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP fdn352ap-d.pdf
FDN352AP
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 33487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.54 грн
10+30.77 грн
100+19.75 грн
500+14.09 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.