Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN352AP
FDN352AP

FDN352AP ON Semiconductor

fdn352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN352AP ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDN352AP за ціною від 7.45 грн до 29.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+8.7 грн
Мінімальне замовлення: 36
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.71 грн
9000+ 8.51 грн
24000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.72 грн
9000+ 8.53 грн
24000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.83 грн
6000+ 8.98 грн
9000+ 8.34 грн
30000+ 7.65 грн
75000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI FDN352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+15.69 грн
30+ 13.11 грн
85+ 9.83 грн
225+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.3 грн
38+ 15.39 грн
100+ 15.23 грн
500+ 12.74 грн
1000+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI 2299766.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 60719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.63 грн
500+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI FDN352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.83 грн
25+ 16.34 грн
85+ 11.8 грн
225+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI 2299766.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 60719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+25.18 грн
31+ 24.13 грн
100+ 17.63 грн
500+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi / Fairchild FDN352AP_D-2312624.pdf MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 233806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.73 грн
13+ 23.89 грн
100+ 15.72 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 10.19 грн
3000+ 8.39 грн
9000+ 7.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 82636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.53 грн
12+ 24 грн
100+ 16.68 грн
500+ 12.23 грн
1000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній