Продукція > UMW > FDN352AP
FDN352AP

FDN352AP UMW

603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN352AP UMW

Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN352AP за ціною від 8.39 грн до 52.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.45 грн
9000+10.30 грн
24000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.64 грн
9000+10.47 грн
24000+10.15 грн
45000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.11 грн
6000+10.67 грн
9000+10.17 грн
15000+9.01 грн
21000+8.70 грн
30000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.27 грн
9000+11.03 грн
24000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.42 грн
9000+11.17 грн
24000+10.82 грн
45000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.76 грн
6000+12.51 грн
9000+12.33 грн
12000+11.71 грн
27000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 54273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1425+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 1425
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.97 грн
500+16.26 грн
1000+12.39 грн
5000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : UMW 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.84 грн
21+16.09 грн
100+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+29.26 грн
631+20.09 грн
637+19.89 грн
807+15.16 грн
1094+10.35 грн
3000+9.93 грн
15000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+33.98 грн
32+22.89 грн
100+15.57 грн
500+11.74 грн
1000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI FDN352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.71 грн
17+26.01 грн
50+19.68 грн
100+17.43 грн
250+14.76 грн
500+13.09 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.91 грн
23+31.67 грн
25+31.35 грн
100+20.75 грн
250+19.03 грн
500+14.44 грн
1000+10.64 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi / Fairchild FDN352AP_D-2312624.pdf MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.20 грн
13+29.55 грн
100+18.09 грн
500+14.17 грн
1000+11.77 грн
3000+10.09 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI FDN352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.26 грн
10+32.42 грн
50+23.61 грн
100+20.91 грн
250+17.71 грн
500+15.71 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+50.82 грн
26+34.57 грн
100+24.15 грн
500+16.18 грн
1000+12.85 грн
5000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 30938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.95 грн
11+31.02 грн
100+19.95 грн
500+14.24 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi FDN352AP-D.PDF MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.20 грн
12+31.02 грн
100+18.49 грн
500+14.65 грн
1000+13.29 грн
3000+9.61 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.