Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN352AP
FDN352AP

FDN352AP ON Semiconductor

fdn352ap-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN352AP за ціною від 8.06 грн до 48.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.19 грн
6000+9.45 грн
9000+9.31 грн
15000+8.52 грн
21000+8.22 грн
30000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.95 грн
9000+9.84 грн
24000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.13 грн
9000+10.01 грн
24000+9.70 грн
45000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.73 грн
9000+10.55 грн
24000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.87 грн
9000+10.68 грн
24000+10.35 грн
45000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.20 грн
6000+11.96 грн
9000+11.78 грн
12000+11.20 грн
27000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.65 грн
500+15.36 грн
1000+11.71 грн
5000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+27.97 грн
631+19.20 грн
637+19.02 грн
807+14.49 грн
1094+9.89 грн
3000+9.49 грн
15000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+32.48 грн
32+21.88 грн
100+14.88 грн
500+11.22 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.16 грн
23+30.27 грн
25+29.97 грн
100+19.84 грн
250+18.19 грн
500+13.80 грн
1000+10.17 грн
15000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7A9B35810259&compId=FDN352AP.pdf?ci_sign=4d0ad261905347ec67d1219e0f9d940ccd88100a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.9nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.02 грн
15+26.54 грн
50+20.08 грн
84+11.11 грн
230+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 42285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.72 грн
12+28.12 грн
100+19.54 грн
500+13.94 грн
1000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi / Fairchild FDN352AP_D-2312624.pdf MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.70 грн
13+27.91 грн
100+17.09 грн
500+13.38 грн
1000+11.12 грн
3000+9.53 грн
9000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC7A9B35810259&compId=FDN352AP.pdf?ci_sign=4d0ad261905347ec67d1219e0f9d940ccd88100a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.9nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.82 грн
10+33.08 грн
50+24.10 грн
84+13.33 грн
230+12.57 грн
3000+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.01 грн
26+32.66 грн
100+22.82 грн
500+15.28 грн
1000+12.14 грн
5000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.