Продукція > UMW > FDN352AP
FDN352AP

FDN352AP UMW

603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN352AP UMW

Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN352AP за ціною від 7.48 грн до 57.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
6000+9.51 грн
9000+9.06 грн
15000+8.03 грн
21000+7.75 грн
30000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.61 грн
9000+10.44 грн
24000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.80 грн
9000+10.61 грн
24000+10.29 грн
45000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.44 грн
9000+11.19 грн
24000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.59 грн
9000+11.32 грн
24000+10.98 грн
45000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.94 грн
6000+12.69 грн
9000+12.50 грн
12000+11.88 грн
27000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 54273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1425+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1425
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.37 грн
500+14.49 грн
1000+11.04 грн
5000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : UMW 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.92 грн
21+14.34 грн
100+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+29.67 грн
631+20.37 грн
637+20.17 грн
807+15.37 грн
1094+10.49 грн
3000+10.07 грн
15000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+34.45 грн
32+23.21 грн
100+15.78 грн
500+11.90 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi / Fairchild FDN352AP_D-2312624.pdf MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.74 грн
13+25.32 грн
100+15.50 грн
500+12.14 грн
1000+10.08 грн
3000+8.64 грн
9000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ON Semiconductor fdn352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.47 грн
23+32.11 грн
25+31.79 грн
100+21.04 грн
250+19.30 грн
500+14.64 грн
1000+10.79 грн
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi FDN352AP-D.PDF MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.74 грн
12+26.59 грн
100+15.85 грн
500+12.55 грн
1000+11.39 грн
3000+8.23 грн
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.30 грн
26+30.81 грн
100+21.53 грн
500+14.42 грн
1000+11.46 грн
5000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP FDN352AP Виробник : onsemi fdn352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 30938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.30 грн
11+27.65 грн
100+17.78 грн
500+12.69 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP Виробник : ONSEMI fdn352ap-d.pdf 603dcb10b9c48169e5bbaac91b8af6b9.pdf FAIRS34533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.20 грн
84+13.87 грн
229+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.