Продукція > ONSEMI > FDN357N
FDN357N

FDN357N ONSEMI

FDN357N.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+43.86 грн
14+30.37 грн
16+26.64 грн
50+20.19 грн
100+18.16 грн
500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN357N ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN357N за ціною від 14.20 грн до 57.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.18 грн
10+33.88 грн
100+19.03 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+34.21 грн
100+22.04 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.18 грн
10+33.88 грн
100+19.03 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.09 грн
10+34.21 грн
100+22.04 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.