FDN357N onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 4737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN357N onsemi
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 1.9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDN357N за ціною від 9.26 грн до 43.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN357N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.9 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN357N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V |
на замовлення 4737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN357N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SSOT-3 N-CH 30V |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN357N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 2.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDN357N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |