Продукція > ONSEMI > FDN357N
FDN357N

FDN357N onsemi

fdn357n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.74 грн
6000+10.20 грн
9000+9.85 грн
15000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN357N onsemi

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 1.9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FDN357N за ціною від 9.31 грн до 41.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor 3651547452024877fdn357n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.53 грн
6000+11.80 грн
12000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.87 грн
6000+11.64 грн
9000+11.52 грн
24000+10.68 грн
30000+9.80 грн
45000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.79 грн
6000+12.47 грн
9000+12.34 грн
24000+11.45 грн
30000+10.50 грн
45000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.40 грн
6000+13.57 грн
12000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.58 грн
9000+16.24 грн
24000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.69 грн
6000+16.23 грн
9000+15.59 грн
12000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.25 грн
45000+19.42 грн
90000+18.07 грн
135000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.49 грн
20+20.32 грн
22+18.49 грн
50+16.51 грн
100+15.71 грн
250+14.21 грн
500+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+31.51 грн
535+23.09 грн
566+21.85 грн
686+17.36 грн
1000+12.93 грн
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9016645D3E259&compId=FDN357N.pdf?ci_sign=fc8992d385bf25dd1c09c8a14438e0609bbc5ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.79 грн
12+25.32 грн
13+22.19 грн
50+19.81 грн
100+18.86 грн
250+17.05 грн
500+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 37045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.79 грн
15+22.14 грн
100+18.11 грн
500+14.92 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : onsemi / Fairchild FDN357N-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 14002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.91 грн
15+23.92 грн
100+16.91 грн
500+14.78 грн
1000+13.18 грн
3000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI fdn357n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.08 грн
50+27.43 грн
100+22.22 грн
500+17.14 грн
1500+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+41.97 грн
20+36.00 грн
25+33.76 грн
100+23.86 грн
250+20.90 грн
500+16.53 грн
1000+13.30 грн
3000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.