Продукція > ONSEMI > FDN357N
FDN357N

FDN357N onsemi

fdn357n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.43 грн
6000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN357N onsemi

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції FDN357N за ціною від 10.67 грн до 57.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.35 грн
6000+13.52 грн
12000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.74 грн
6000+13.33 грн
9000+13.19 грн
24000+12.24 грн
30000+11.22 грн
45000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.74 грн
6000+13.33 грн
9000+13.19 грн
24000+12.24 грн
30000+11.22 грн
45000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
6000+14.51 грн
12000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.11 грн
6000+18.59 грн
9000+17.86 грн
12000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.34 грн
45000+22.24 грн
90000+20.70 грн
135000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.09 грн
535+26.45 грн
566+25.02 грн
686+19.88 грн
1000+14.81 грн
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.86 грн
20+38.49 грн
25+36.09 грн
100+25.50 грн
250+22.34 грн
500+17.68 грн
1000+14.22 грн
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.08 грн
13+33.09 грн
15+29.86 грн
50+23.59 грн
100+21.29 грн
500+16.37 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 35427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+34.74 грн
50+25.40 грн
100+21.02 грн
500+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.35 грн
6000+13.52 грн
12000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.74 грн
6000+13.33 грн
9000+13.19 грн
24000+12.24 грн
30000+11.22 грн
45000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.74 грн
6000+13.33 грн
9000+13.19 грн
24000+12.24 грн
30000+11.22 грн
45000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.40 грн
6000+14.51 грн
12000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.11 грн
6000+18.59 грн
9000+17.86 грн
12000+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.34 грн
45000+22.24 грн
90000+20.70 грн
135000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+36.09 грн
535+26.45 грн
566+25.02 грн
686+19.88 грн
1000+14.81 грн
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.86 грн
20+38.49 грн
25+36.09 грн
100+25.50 грн
250+22.34 грн
500+17.68 грн
1000+14.22 грн
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N.pdf
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.9nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 1.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.08 грн
13+33.09 грн
15+29.86 грн
50+23.59 грн
100+21.29 грн
500+16.37 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 35427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.88 грн
10+34.74 грн
50+25.40 грн
100+21.02 грн
500+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 12900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N 2304709.pdf
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 18762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N 2304709.pdf
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.