Продукція > ONSEMI > FDN357N
FDN357N

FDN357N onsemi

fdn357n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.32 грн
6000+10.88 грн
9000+10.38 грн
15000+9.21 грн
21000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN357N onsemi

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 1.9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції FDN357N за ціною від 9.78 грн до 54.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.16 грн
6000+12.39 грн
12000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.51 грн
6000+12.22 грн
9000+12.09 грн
24000+11.22 грн
30000+10.29 грн
45000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.47 грн
6000+13.10 грн
9000+12.96 грн
24000+12.02 грн
30000+11.02 грн
45000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.12 грн
6000+14.25 грн
12000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI 2304709.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.67 грн
9000+15.35 грн
24000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.52 грн
6000+17.05 грн
9000+16.37 грн
12000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.31 грн
45000+20.39 грн
90000+18.97 грн
135000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.31 грн
17+25.00 грн
19+23.08 грн
50+19.17 грн
100+17.58 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+33.09 грн
535+24.25 грн
566+22.94 грн
686+18.23 грн
1000+13.58 грн
3000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI fdn357n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.88 грн
50+25.93 грн
100+21.00 грн
500+16.20 грн
1500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.77 грн
10+31.15 грн
11+27.70 грн
50+23.00 грн
100+21.10 грн
500+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : ON Semiconductor fdn357n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.06 грн
20+37.80 грн
25+35.45 грн
100+25.05 грн
250+21.95 грн
500+17.36 грн
1000+13.96 грн
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 25744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.18 грн
10+31.20 грн
100+20.13 грн
500+14.41 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N Виробник : onsemi fdn357n-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.19 грн
10+33.28 грн
100+18.69 грн
500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.