Продукція > ONSEMI > FDN359AN
FDN359AN

FDN359AN onsemi

fdn359an-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.47 грн
6000+10.12 грн
9000+9.65 грн
15000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN359AN onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN359AN за ціною від 8.70 грн до 48.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN359AN FDN359AN Fairchild info-tfdn359an.pdf N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN onsemi / Fairchild FDN359AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
11+30.33 грн
100+17.53 грн
500+13.39 грн
1000+12.01 грн
3000+8.91 грн
6000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN ONSEMI FDN359AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.53 грн
14+31.58 грн
50+22.19 грн
100+18.95 грн
500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.96 грн
11+29.23 грн
100+18.82 грн
500+13.45 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN info-tfdn359an.pdf
FDN359AN
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
60+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN-D.PDF
FDN359AN
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.75 грн
11+30.33 грн
100+17.53 грн
500+13.39 грн
1000+12.01 грн
3000+8.91 грн
6000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN.pdf
FDN359AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+46.53 грн
14+31.58 грн
50+22.19 грн
100+18.95 грн
500+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN fdn359an-d.pdf
FDN359AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.96 грн
11+29.23 грн
100+18.82 грн
500+13.45 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.