Продукція > ONSEMI > FDN359AN
FDN359AN

FDN359AN onsemi

fdn359an-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.97 грн
6000+9.54 грн
9000+9.19 грн
15000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN359AN onsemi

Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN359AN за ціною від 9.01 грн до 51.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN359AN FDN359AN Виробник : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2015+15.36 грн
10000+13.70 грн
100000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 2015
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.10 грн
500+17.90 грн
1500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.26 грн
14+28.96 грн
50+21.88 грн
71+13.36 грн
193+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 20476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.13 грн
11+29.91 грн
100+20.25 грн
500+14.47 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : onsemi / Fairchild FDN359AN-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 10763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.17 грн
11+32.41 грн
100+19.40 грн
500+14.82 грн
1000+13.29 грн
3000+9.16 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE903C94EADA259&compId=FDN359AN.pdf?ci_sign=a80057f0f9f224c8fd968e6e92eb392f70c0472f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.32 грн
10+36.08 грн
50+26.25 грн
71+16.04 грн
193+15.18 грн
1500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.23 грн
50+36.58 грн
100+25.10 грн
500+17.90 грн
1500+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN Виробник : Fairchild fdn359an-d.pdf N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN Виробник : ON Semiconductor fdn359an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.