Продукція > ONSEMI > FDN359BN
FDN359BN

FDN359BN onsemi

fdn359bn-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.69 грн
6000+9.53 грн
9000+9.04 грн
15000+8.48 грн
21000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN359BN onsemi

Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN359BN за ціною від 9.01 грн до 46.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.01 грн
6000+11.22 грн
9000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
6000+12.19 грн
9000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2039+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 2039
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2039+15.18 грн
10000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 2039
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.24 грн
500+17.34 грн
1500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
349+35.56 грн
500+27.48 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.95 грн
24+30.36 грн
25+30.11 грн
100+21.68 грн
250+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 79954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.65 грн
12+28.16 грн
100+20.05 грн
500+14.32 грн
1000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.30 грн
23+32.00 грн
100+23.96 грн
500+18.12 грн
1000+15.01 грн
3000+10.81 грн
6000+10.15 грн
9000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi / Fairchild FDN359BN-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.14 грн
12+30.56 грн
100+19.02 грн
500+14.74 грн
1000+13.06 грн
3000+9.70 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.09 грн
50+33.92 грн
100+24.24 грн
500+17.34 грн
1500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN транзистор
Код товару: 213980
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN Виробник : ONSEMI fdn359bn-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.