Продукція > Транзистори > IGBT > FDN359BN транзистор

FDN359BN транзистор

Код товару: 213980
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDN359BN транзистор за ціною від 7.79 грн до 49.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN359BN FDN359BN onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.54 грн
6000+10.18 грн
9000+9.70 грн
15000+8.60 грн
21000+8.30 грн
30000+8.01 грн
75000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.14 грн
6000+13.11 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.22 грн
6000+13.17 грн
9000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2039+17.35 грн
10000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 2039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2039+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 2039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.55 грн
26+29.67 грн
100+23.12 грн
500+17.99 грн
1000+15.05 грн
3000+11.61 грн
6000+10.85 грн
9000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+38.94 грн
500+29.14 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.68 грн
24+32.29 грн
26+29.74 грн
100+19.87 грн
250+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 79130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.95 грн
500+13.54 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN onsemi / Fairchild FDN359BN-D.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.54 грн
6000+10.18 грн
9000+9.70 грн
15000+8.60 грн
21000+8.30 грн
30000+8.01 грн
75000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.14 грн
6000+13.11 грн
9000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.22 грн
6000+13.17 грн
9000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2039+17.35 грн
10000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 2039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2039+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 2039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+36.55 грн
26+29.67 грн
100+23.12 грн
500+17.99 грн
1000+15.05 грн
3000+11.61 грн
6000+10.85 грн
9000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+38.94 грн
500+29.14 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.68 грн
24+32.29 грн
26+29.74 грн
100+19.87 грн
250+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 79130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.59 грн
11+29.48 грн
100+18.95 грн
500+13.54 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN-D.pdf
FDN359BN
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN fdn359bn-d.pdf
FDN359BN
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN 2572537.pdf
FDN359BN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

ZXM61P03FTA
Код товару: 72847
Додати до обраних Обраний товар
ZXM61P03F.pdf
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+6.90 грн
100+6.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.