FDN359BN onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.68 грн |
| 6000+ | 10.30 грн |
| 9000+ | 9.82 грн |
| 15000+ | 8.71 грн |
| 21000+ | 8.40 грн |
| 30000+ | 8.11 грн |
| 75000+ | 7.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN359BN onsemi
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDN359BN за ціною від 8.79 грн до 50.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 11911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDN359BN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDN359BN | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 22365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V |
на замовлення 79130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDN359BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
FDN359BN транзистор Код товару: 213980
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|