FDN359BN

FDN359BN ON Semiconductor


fdn359bn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.47 грн
450000+7.74 грн
675000+7.21 грн
900000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN359BN ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDN359BN за ціною від 8.30 грн до 43.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.00 грн
9000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.71 грн
9000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.23 грн
6000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2428+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2428
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.93 грн
6000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.94 грн
500+12.54 грн
1500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
484+25.15 грн
679+17.94 грн
686+17.76 грн
821+14.30 грн
1000+11.47 грн
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ONSEMI 2572537.pdf Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.83 грн
50+23.38 грн
100+18.94 грн
500+12.54 грн
1500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : ON Semiconductor fdn359bn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.69 грн
26+23.36 грн
100+16.06 грн
250+14.73 грн
500+11.81 грн
1000+10.22 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 105701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
12+27.14 грн
100+19.17 грн
500+13.69 грн
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi / Fairchild FDN359BN_D-2312922.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 58835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.92 грн
12+28.95 грн
100+17.17 грн
500+13.43 грн
1000+12.18 грн
3000+9.76 грн
9000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN Виробник : ONSEMI fdn359bn-d.pdf FDN359BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.