Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN359BN
FDN359BN

FDN359BN ON Semiconductor

fdn359bn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN359BN ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDN359BN за ціною від 7.89 грн до 33.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.4 грн
6000+ 9.51 грн
9000+ 8.83 грн
30000+ 8.09 грн
75000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi fdn359bn-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 125142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
11+ 25.38 грн
100+ 17.65 грн
500+ 12.94 грн
1000+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN359BN FDN359BN Виробник : onsemi / Fairchild FDN359BN_D-2312922.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 32433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.34 грн
11+ 28.18 грн
100+ 17.09 грн
500+ 13.35 грн
1000+ 10.88 грн
3000+ 9.21 грн
9000+ 8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN359BN Виробник : ONSEMI fdn359bn-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
FDN359BN Виробник : ONSEMI fdn359bn-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній