Продукція > ONSEMI > FDN537N
FDN537N

FDN537N onsemi

fdn537n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.45 грн
6000+17.09 грн
9000+16.36 грн
15000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN537N onsemi

Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDN537N за ціною від 16.88 грн до 74.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN537N FDN537N Виробник : ONSEMI fdn537n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.54 грн
500+22.25 грн
1500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : onsemi / Fairchild FDN537N_D-2312625.pdf MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+45.83 грн
100+30.53 грн
500+24.15 грн
1000+19.30 грн
3000+17.54 грн
6000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ONSEMI fdn537n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.72 грн
50+45.53 грн
100+30.54 грн
500+22.25 грн
1500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : onsemi fdn537n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+45.26 грн
100+30.01 грн
500+22.16 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N Виробник : ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.13 грн
40+26.97 грн
110+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N Виробник : ON Semiconductor fdn537n-d.pdf
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ON Semiconductor fdn537n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ON Semiconductor fdn537n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ON Semiconductor 3663022804155026fdn537n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.