Продукція > ONSEMI > FDN537N
FDN537N

FDN537N onsemi

fdn537n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.79 грн
6000+18.33 грн
9000+17.55 грн
15000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN537N onsemi

Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDN537N за ціною від 18.11 грн до 83.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN537N FDN537N Виробник : ONSEMI fdn537n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.76 грн
500+23.86 грн
1500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : onsemi / Fairchild FDN537N_D-2312625.pdf MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.21 грн
10+49.16 грн
100+32.75 грн
500+25.90 грн
1000+20.70 грн
3000+18.82 грн
6000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ONSEMI fdn537n-d.pdf Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.86 грн
50+48.84 грн
100+32.76 грн
500+23.86 грн
1500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : onsemi fdn537n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.05 грн
10+48.55 грн
100+32.19 грн
500+23.77 грн
1000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N Виробник : ONSEMI fdn537n-d.pdf FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.30 грн
40+29.33 грн
110+27.75 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N Виробник : ON Semiconductor fdn537n-d.pdf
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ON Semiconductor fdn537n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ON Semiconductor fdn537n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537N FDN537N Виробник : ON Semiconductor 3663022804155026fdn537n.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.