Продукція > ONSEMI > FDN5618P
FDN5618P

FDN5618P onsemi

fdn5618p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.38 грн
6000+9.14 грн
9000+8.70 грн
15000+7.71 грн
21000+7.44 грн
30000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5618P onsemi

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN5618P за ціною від 3.29 грн до 53.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN5618P FDN5618P Виробник : ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.69 грн
9000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.88 грн
9000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.45 грн
9000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.87 грн
9000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.73 грн
6000+12.47 грн
9000+12.18 грн
12000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 230551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.79 грн
500+15.38 грн
1500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : onsemi / Fairchild FDN5618P_D-2312834.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.15 грн
13+25.91 грн
100+15.70 грн
500+12.22 грн
1000+9.97 грн
3000+8.40 грн
9000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 59344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.55 грн
12+26.70 грн
100+17.16 грн
500+12.22 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 218206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+53.93 грн
50+33.46 грн
100+21.43 грн
500+15.16 грн
1500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P Виробник : ElecSuper fdn5618p-d.pdf 60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P Виробник : ON Semiconductor fdn5618p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.