Продукція > ONSEMI > FDN5618P
FDN5618P

FDN5618P onsemi

fdn5618p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.45 грн
6000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5618P onsemi

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції FDN5618P за ціною від 3.29 грн до 60.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+30.47 грн
1000+24.01 грн
3000+19.55 грн
6000+17.29 грн
9000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI FDN5618P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.25A
Power dissipation: 0.46W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.67 грн
14+31.32 грн
17+25.65 грн
50+15.75 грн
100+13.37 грн
250+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.80 грн
10+31.77 грн
50+23.24 грн
100+19.20 грн
500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 41635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI 2303914.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 164730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI 2303914.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 164730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P ElecSuper fdn5618p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 253mOhm; 1,8A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P ON-Semiconductor fdn5618p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
464+30.47 грн
1000+24.01 грн
3000+19.55 грн
6000+17.29 грн
9000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.25A
Power dissipation: 0.46W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.67 грн
14+31.32 грн
17+25.65 грн
50+15.75 грн
100+13.37 грн
250+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.80 грн
10+31.77 грн
50+23.24 грн
100+19.20 грн
500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
232+60.90 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 41635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 2303914.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 164730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 2303914.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 164730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
Виробник: ElecSuper
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 253mOhm; 1,8A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.