Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN5618P
FDN5618P

FDN5618P ON Semiconductor

fdn5618pd.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5618P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції FDN5618P за ціною від 8.56 грн до 61.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+30.74 грн
1000+24.22 грн
3000+19.72 грн
6000+17.45 грн
9000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 35846 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+57.93 грн
12+25.82 грн
100+19.75 грн
500+15.07 грн
1000+14.63 грн
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ON Semiconductor fdn5618pd.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI 2303914.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 152104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI 2303914.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 152104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P ON-Semiconductor fdn5618p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
464+30.74 грн
1000+24.22 грн
3000+19.72 грн
6000+17.45 грн
9000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 35846 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.93 грн
12+25.82 грн
100+19.75 грн
500+15.07 грн
1000+14.63 грн
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618pd.pdf
FDN5618P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
231+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 231 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 2303914.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 152104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 2303914.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 152104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.