Продукція > ONSEMI > FDN5618P
FDN5618P

FDN5618P onsemi

fdn5618p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.49 грн
6000+9.24 грн
9000+8.80 грн
15000+7.79 грн
21000+7.52 грн
30000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5618P onsemi

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції FDN5618P за ціною від 3.36 грн до 52.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDN5618P FDN5618P ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.82 грн
9000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 183068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.58 грн
500+18.10 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi / Fairchild FDN5618P_D-2312834.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.49 грн
13+26.20 грн
100+15.88 грн
500+12.36 грн
1000+10.08 грн
3000+8.49 грн
9000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI FDN5618P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.25A
Gate charge: 13.8nC
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.46W
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.22 грн
18+23.10 грн
21+20.52 грн
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 59344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+27.00 грн
100+17.35 грн
500+12.36 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P ONSEMI fdn5618p-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 183068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.51 грн
50+31.09 грн
100+26.58 грн
500+18.10 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P ElecSuper fdn5618p-d.pdf 60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.82 грн
9000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 183068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.58 грн
500+18.10 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P_D-2312834.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.49 грн
13+26.20 грн
100+15.88 грн
500+12.36 грн
1000+10.08 грн
3000+8.49 грн
9000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.25A; 0.46W; SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.25A
Gate charge: 13.8nC
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.46W
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+32.22 грн
18+23.10 грн
21+20.52 грн
50+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 59344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.04 грн
12+27.00 грн
100+17.35 грн
500+12.36 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 183068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+52.51 грн
50+31.09 грн
100+26.58 грн
500+18.10 грн
1500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
Виробник: ElecSuper
60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.