Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN5630
FDN5630

FDN5630 ON Semiconductor

fdn5630-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.02 грн
9000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5630 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN5630 за ціною від 6.85 грн до 45.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.56 грн
9000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.39 грн
6000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3283+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3283
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI fdn5630-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.90 грн
9000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.21 грн
6000+11.04 грн
9000+10.76 грн
12000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.17 грн
500+11.11 грн
1500+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.99 грн
13+25.14 грн
100+16.05 грн
500+11.37 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI fdn5630-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 156175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.76 грн
50+29.22 грн
100+18.65 грн
500+13.10 грн
1500+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi / Fairchild fdn5630-d.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 14646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.66 грн
13+27.75 грн
100+15.52 грн
500+11.84 грн
1000+10.52 грн
3000+7.72 грн
9000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 Виробник : ONSEMI fdn5630-d.pdf FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.51 грн
84+12.87 грн
230+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630
Код товару: 208281
Додати до обраних Обраний товар

fdn5630-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.