Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN5630
FDN5630

FDN5630 ON Semiconductor

fdn5630-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.67 грн
9000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5630 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDN5630 за ціною від 7.44 грн до 40.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.22 грн
9000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.03 грн
6000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3283+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3283
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI fdn5630-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.28 грн
9000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.37 грн
6000+11.20 грн
9000+10.92 грн
12000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.82 грн
500+11.53 грн
1500+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.70 грн
17+24.18 грн
50+18.14 грн
84+11.14 грн
231+10.58 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.70 грн
13+25.06 грн
100+15.96 грн
500+11.31 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630
Код товару: 208281
Додати до обраних Обраний товар

fdn5630-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi / Fairchild FDN5630-D.PDF MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 24450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.80 грн
13+27.75 грн
100+15.35 грн
500+11.61 грн
1000+10.46 грн
3000+8.25 грн
6000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE9084782FDE259&compId=FDN5630.pdf?ci_sign=b509e67f7d3c5b69bed0dc6b2b0e78cdb27cad08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.18Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.04 грн
10+30.14 грн
50+21.76 грн
84+13.36 грн
231+12.70 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI fdn5630-d.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 152425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.95 грн
50+31.27 грн
100+19.96 грн
500+14.00 грн
1500+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.