Продукція > UMW > FDN5630
FDN5630

FDN5630 UMW

db7264d7952902db27bb120794d49cf3.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.21 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN5630 UMW

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN5630 за ціною від 5.61 грн до 45.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.86 грн
6000+7.78 грн
9000+7.39 грн
15000+6.53 грн
21000+6.30 грн
30000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.48 грн
9000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.70 грн
6000+9.08 грн
9000+7.76 грн
15000+7.41 грн
21000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.40 грн
6000+9.73 грн
9000+8.32 грн
15000+7.94 грн
21000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.12 грн
6000+10.40 грн
9000+8.89 грн
15000+8.49 грн
21000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1158+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2750+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 2750
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
6000+11.22 грн
9000+9.59 грн
15000+9.15 грн
21000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.56 грн
500+13.02 грн
1500+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : UMW db7264d7952902db27bb120794d49cf3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.58 грн
21+14.42 грн
100+9.06 грн
500+6.31 грн
1000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.17 грн
18+23.59 грн
50+16.60 грн
100+14.30 грн
500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630
Код товару: 208281
Додати до обраних Обраний товар

fdn5630-d.pdf db7264d7952902db27bb120794d49cf3.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 34601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.17 грн
13+23.23 грн
100+14.82 грн
500+10.50 грн
1000+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : onsemi fdn5630-d.pdf db7264d7952902db27bb120794d49cf3.pdf MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 22221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.39 грн
13+24.81 грн
100+13.72 грн
500+10.38 грн
1000+9.29 грн
3000+7.85 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.61 грн
11+29.39 грн
50+19.92 грн
100+17.16 грн
500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ON Semiconductor fdn5630-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.94 грн
23+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 Виробник : ONSEMI 2303966.pdf Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.16 грн
50+29.07 грн
100+18.56 грн
500+13.02 грн
1500+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.