на замовлення 440330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.21 грн |
| 10+ | 40.42 грн |
| 100+ | 23.62 грн |
| 500+ | 19.78 грн |
| 1000+ | 17.82 грн |
| 3000+ | 13.35 грн |
| 6000+ | 13.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN5632N-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDN5632N-F085 за ціною від 18.16 грн до 70.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN5632N-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDN5632N_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
на замовлення 4294967295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDN5632N_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
на замовлення 13848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDN5632N_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
FDN5632N-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDN5632N-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDN5632N-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



