FDN5632N-F085 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.25 грн |
| 6000+ | 14.82 грн |
| 9000+ | 13.72 грн |
| 30000+ | 12.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN5632N-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDN5632N-F085 за ціною від 13.98 грн до 46.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDN5632N-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 51103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN5632N-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A |
на замовлення 487942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDN5632N_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
на замовлення 4294967295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN5632N_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
на замовлення 13848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDN5632N_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDN5632N-F085 | Виробник : ONSEMI |
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDN5632N-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDN5632N-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |