FDN8601 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.27 грн |
| 6000+ | 25.37 грн |
| 9000+ | 25.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN8601 onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDN8601 за ціною від 11.02 грн до 48.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDN8601 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 23773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDN8601 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 21597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN8601 | ONN |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDN8601 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.19 грн |
| 12+ | 28.36 грн |
| 100+ | 17.98 грн |
| 500+ | 14.26 грн |
| 1000+ | 12.95 грн |
| 3000+ | 11.23 грн |
| 6000+ | 11.02 грн |
| FDN8601 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.82 грн |
| 10+ | 46.94 грн |
| 100+ | 39.03 грн |
| 500+ | 30.23 грн |
| 1000+ | 27.74 грн |


