Продукція > ONSEMI > FDN8601
FDN8601

FDN8601 onsemi

fdn8601-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.52 грн
6000+25.60 грн
9000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN8601 onsemi

Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN8601 за ціною від 28.00 грн до 102.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN8601 FDN8601 ON Semiconductor fdn8601-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 ON Semiconductor fdn8601-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 onsemi fdn8601-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
10+47.37 грн
100+39.39 грн
500+30.51 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 ON Semiconductor fdn8601-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.88 грн
242+58.50 грн
244+57.93 грн
264+51.67 грн
500+43.97 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 ON Semiconductor fdn8601-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.83 грн
10+87.88 грн
25+58.50 грн
100+55.86 грн
250+47.84 грн
500+42.21 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 onsemi / Fairchild FDN8601-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 ONSEMI 2304494.pdf Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601 ONSEMI fdn8601-d.pdf Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 ONN fdn8601-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
FDN8601
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
FDN8601
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
FDN8601
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.27 грн
10+47.37 грн
100+39.39 грн
500+30.51 грн
1000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
FDN8601
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+87.88 грн
242+58.50 грн
244+57.93 грн
264+51.67 грн
500+43.97 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
FDN8601
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+102.83 грн
10+87.88 грн
25+58.50 грн
100+55.86 грн
250+47.84 грн
500+42.21 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 FDN8601-D.PDF
FDN8601
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 2304494.pdf
FDN8601
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
FDN8601
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601 fdn8601-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.