Продукція > ONSEMI > FDN86246
FDN86246

FDN86246 onsemi

fdn86246-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.67 грн
6000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN86246 onsemi

Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.261 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.261ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDN86246 за ціною від 35.87 грн до 126.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDN86246 FDN86246 onsemi fdn86246-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.31 грн
10+77.38 грн
100+52.13 грн
500+38.76 грн
1000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 FDN86246 ONSEMI ONSM-S-A0003584728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.261 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.261ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 FDN86246 onsemi fdn86246-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 fdn86246-d.pdf
FDN86246
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.31 грн
10+77.38 грн
100+52.13 грн
500+38.76 грн
1000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 ONSM-S-A0003584728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN86246
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.261 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.261ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246 fdn86246-d.pdf
FDN86246
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.