Продукція > ONSEMI > FDN86501LZ
FDN86501LZ

FDN86501LZ onsemi

fdn86501lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN86501LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDN86501LZ за ціною від 60.91 грн до 207.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDN86501LZ FDN86501LZ Виробник : onsemi / Fairchild fdn86501lz-d.pdf MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
на замовлення 39177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.90 грн
10+103.22 грн
100+72.69 грн
250+72.02 грн
500+63.34 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZ FDN86501LZ Виробник : onsemi fdn86501lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 60344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.71 грн
10+129.28 грн
100+89.01 грн
500+67.37 грн
1000+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZ Виробник : ON Semiconductor fdn86501lz-d.pdf
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZ Виробник : ONSEMI fdn86501lz-d.pdf FDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.