FDN86501LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN86501LZ onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDN86501LZ за ціною від 54.00 грн до 202.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDN86501LZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO |
на замовлення 37483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDN86501LZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 60344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDN86501LZ | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDN86501LZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
на замовлення 37483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.27 грн |
| 10+ | 83.17 грн |
| 100+ | 64.47 грн |
| 500+ | 61.72 грн |
| 1000+ | 58.76 грн |
| 3000+ | 54.00 грн |
| FDN86501LZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 60344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.25 грн |
| 10+ | 125.89 грн |
| 100+ | 86.67 грн |
| 500+ | 65.60 грн |
| 1000+ | 60.54 грн |
| FDN86501LZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)