Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP020N06B-F102
FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102 ON Semiconductor

fdp020n06b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
108+328.39 грн
500+311.85 грн
1000+294.13 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP020N06B-F102 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDP020N06B-F102 за ціною від 153.25 грн до 478.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP020N06B-F102 FDP020N06B-F102 ON Semiconductor fdp020n06b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.39 грн
500+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 FDP020N06B-F102 onsemi / Fairchild FDP020N06B-D.pdf MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.15 грн
10+227.25 грн
100+190.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 FDP020N06B-F102 onsemi fdp020n06b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.77 грн
50+217.80 грн
100+199.28 грн
500+156.58 грн
1000+153.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 FDP020N06B-F102 ON Semiconductor fdp020n06b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+444.71 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 FDP020N06B-F102 onsemi fdp020n06b-d.pdf MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.20 грн
10+252.15 грн
100+200.41 грн
500+192.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 ON Semiconductor fdp020n06b-d.pdf
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
FDP020N06B-F102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
108+328.39 грн
500+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 FDP020N06B-D.pdf
FDP020N06B-F102
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+386.15 грн
10+227.25 грн
100+190.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
FDP020N06B-F102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+425.77 грн
50+217.80 грн
100+199.28 грн
500+156.58 грн
1000+153.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
FDP020N06B-F102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
350+444.71 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
FDP020N06B-F102
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+478.20 грн
10+252.15 грн
100+200.41 грн
500+192.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP020N06B-F102 fdp020n06b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.