FDP020N06B-F102 ON Semiconductor
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 109+ | 285.36 грн |
| 500+ | 270.88 грн |
| 1000+ | 255.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP020N06B-F102 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDP020N06B-F102 за ціною від 167.23 грн до 464.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP020N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP020N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP020N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP020N06B-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PwrTrench 60V 313A 2mOhm |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP020N06B-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20930 pF @ 30 V |
на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FDP020N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDP020N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDP020N06B-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 313A; Idm: 1252A; 333W; TO220-3 Mounting: THT Pulsed drain current: 1252A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 206nC On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 313A Power dissipation: 333W |
товару немає в наявності |