FDP023N08B-F102 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.35 грн |
| 10+ | 232.88 грн |
| 50+ | 141.05 грн |
| 100+ | 129.18 грн |
| 250+ | 128.48 грн |
| 500+ | 115.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP023N08B-F102 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції FDP023N08B-F102 за ціною від 112.11 грн до 342.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP023N08B-F102 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDP023N08B-F102 | onsemi |
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35mOhm |
на замовлення 5386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FDP023N08B-F102 | ONN |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP023N08B-F102 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13765 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.72 грн |
| 50+ | 159.08 грн |
| 100+ | 144.68 грн |
| 500+ | 112.11 грн |
| FDP023N08B-F102 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35mOhm
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 242A, 2.35mOhm
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.97 грн |
| 10+ | 175.06 грн |
| 100+ | 129.88 грн |
| 500+ | 122.20 грн |
| FDP023N08B-F102 |
|
Виробник: ONN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)