FDP030N06 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.96 грн |
| 50+ | 163.81 грн |
| 100+ | 162.44 грн |
| 500+ | 138.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP030N06 onsemi
Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 231W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP030N06 за ціною від 145.93 грн до 227.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP030N06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs NCH 60V 3.0Mohm |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP030N06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP030N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP030N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
FDP030N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDP030N06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 138A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

