FDP030N06B-F102 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 114.88 грн |
| 2400+ | 109.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP030N06B-F102 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDP030N06B-F102 за ціною від 75.46 грн до 219.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 138050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDP030N06B-F102 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDP030N06B-F102 | onsemi |
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP030N06B-F102 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 138050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 185.95 грн |
| 10+ | 157.87 грн |
| 100+ | 133.03 грн |
| 250+ | 121.93 грн |
| 500+ | 102.54 грн |
| 800+ | 84.10 грн |
| 2400+ | 78.87 грн |
| 5600+ | 77.02 грн |
| 10400+ | 75.46 грн |
| FDP030N06B-F102 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.76 грн |
| 50+ | 106.04 грн |
| 100+ | 95.74 грн |
| FDP030N06B-F102 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDP030N06B-F102 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





