
FDP030N06B-F102 ON Semiconductor
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 81.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP030N06B-F102 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDP030N06B-F102 за ціною від 60.58 грн до 221.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 138050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
FDP030N06B-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
FDP030N06B-F102 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
![]() |
FDP030N06B-F102 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |