FDP030N06B-F102 ON Semiconductor
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 83.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP030N06B-F102 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V.
Інші пропозиції FDP030N06B-F102 за ціною від 69.40 грн до 243.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 138050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDP030N06B-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 195A, 3.1mO |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
FDP030N06B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
FDP030N06B-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| FDP030N06B-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; Idm: 780A; 205W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 205W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |