FDP032N08 ON Semiconductor
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 240.52 грн |
| 100+ | 231.48 грн |
| 500+ | 222.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP032N08 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP032N08 за ціною від 177.25 грн до 471.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP032N08 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 75V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP032N08 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
FDP032N08 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDP032N08 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 235A; Idm: 940A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 235A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 169nC Pulsed drain current: 940A Power dissipation: 375W On-state resistance: 3.2mΩ |
товару немає в наявності |