FDP038AN06A0 ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP038AN06A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP038AN06A0 за ціною від 107.66 грн до 283.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP038AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 6951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP038AN06A0 Код товару: 51728 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDP038AN06A0 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |