Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDP039N08B-F102
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+322.31 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP039N08B-F102 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDP039N08B-F102 за ціною від 277.42 грн до 616.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP039N08B-F102 FDP039N08B-F102 Виробник : onsemi / Fairchild FDP039N08B_D-2312865.pdf MOSFETs Hi Intg PWM contrlr Green-Mode
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.23 грн
10+412.71 грн
50+358.15 грн
100+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102 FDP039N08B-F102 Виробник : onsemi fdp039n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.06 грн
10+405.71 грн
100+299.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDP039N08B-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+377.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102 FDP039N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor 4266184855550839fdp039n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP039N08B-F102 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp039n08b-d.pdf FDP039N08B-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.