
FDP039N08B-F102 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
67+ | 323.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP039N08B-F102 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDP039N08B-F102 за ціною від 278.09 грн до 617.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP039N08B-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDP039N08B-F102 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 40 V |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
FDP039N08B-F102 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDP039N08B-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FDP039N08B-F102 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |