| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.46 грн |
| 10+ | 102.30 грн |
| 100+ | 70.02 грн |
| 500+ | 52.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP045N10A UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V.
Інші пропозиції FDP045N10A за ціною від 210.50 грн до 222.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP045N10A | ON Semiconductor |
FDP045N10A |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDP045N10A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
FDP045N10A
FDP045N10A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 159+ | 222.26 грн |
| 500+ | 210.50 грн |



