Продукція > ONSEMI > FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102 onsemi

fdp045n10a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 184236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.39 грн
50+169.98 грн
100+154.85 грн
500+120.45 грн
1000+113.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP045N10A-F102 onsemi

Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDP045N10A-F102 за ціною від 129.59 грн до 358.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : onsemi fdp045n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.46 грн
10+184.28 грн
100+145.62 грн
500+129.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 Виробник : ONN fdp045n10a-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AF102 FDP045N10AF102 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.