Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102 ON Semiconductor

fdp045n10ad.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+208.29 грн
100+203.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP045N10A-F102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 263W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm.

Інші пропозиції FDP045N10A-F102 за ціною від 127.40 грн до 356.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.29 грн
100+203.59 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 onsemi fdp045n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.81 грн
10+228.63 грн
50+179.37 грн
100+153.46 грн
500+127.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 onsemi fdp045n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 ONSEMI 2907386.pdf Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 263W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 ONN fdp045n10a-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 fdp045n10ad.pdf
FDP045N10A-F102
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+208.29 грн
100+203.59 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 fdp045n10a-d.pdf
FDP045N10A-F102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.81 грн
10+228.63 грн
50+179.37 грн
100+153.46 грн
500+127.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 fdp045n10a-d.pdf
FDP045N10A-F102
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 2907386.pdf
FDP045N10A-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 263W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 fdp045n10a-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.