Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102 ON Semiconductor

fdp045n10ad.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 207200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+155.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP045N10A-F102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP045N10A-F102 за ціною від 122.27 грн до 345.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+210.36 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.39 грн
10+206.17 грн
50+189.57 грн
100+172.69 грн
250+158.34 грн
500+132.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : onsemi fdp045n10a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 207980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.63 грн
50+181.17 грн
100+165.01 грн
500+135.70 грн
1000+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : onsemi / Fairchild fdp045n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.50 грн
10+206.54 грн
100+161.49 грн
500+142.62 грн
1000+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ONSEMI 2907386.pdf Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+345.38 грн
10+304.74 грн
100+189.62 грн
500+165.07 грн
1000+130.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp045n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp045n10ad.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10A-F102 Виробник : ONSEMI fdp045n10a-d.pdf FDP045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP045N10AF102 FDP045N10AF102 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584545-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 120A, 100V, N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.