
FDP047AN08A0 ON Semiconductor
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP047AN08A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP047AN08A0 за ціною від 101.42 грн до 328.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDP047AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 Код товару: 119329
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
FDP047AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |