Інші пропозиції FDP047AN08A0 за ціною від 94.79 грн до 305.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP047AN08A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP047AN08A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP047AN08A0 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDP047AN08A0 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP047AN08A0 | onsemi |
MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.87 грн |
| 500+ | 174.44 грн |
| 1000+ | 163.83 грн |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.87 грн |
| 500+ | 174.44 грн |
| 1000+ | 163.83 грн |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.48 грн |
| 50+ | 153.39 грн |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.92 грн |
| 50+ | 145.05 грн |
| 100+ | 131.77 грн |
| 500+ | 101.81 грн |
| 1000+ | 94.79 грн |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.37 грн |
| 10+ | 154.46 грн |
| 100+ | 121.92 грн |
| 500+ | 105.39 грн |






