Продукція > ONSEMI > FDP047N08-F102
FDP047N08-F102

FDP047N08-F102 ONSEMI

fdp047n08jp-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 656A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.60 грн
8+120.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP047N08-F102 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP047N08-F102 за ціною від 81.05 грн до 266.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP047N08-F102 FDP047N08-F102 Виробник : ONSEMI fdp047n08jp-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 656A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 168W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.96 грн
3+181.44 грн
8+144.38 грн
22+137.02 грн
250+132.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102 FDP047N08-F102 Виробник : onsemi fdp047n08jp-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.60 грн
10+167.83 грн
100+117.26 грн
800+85.22 грн
1600+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102 Виробник : ONSEMI FDP047N08-D.pdf Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102 FDP047N08-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp047n08-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102 FDP047N08-F102 Виробник : ON Semiconductor 3656904765857872fdp047n08.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N08-F102 FDP047N08-F102 Виробник : onsemi / Fairchild fdp047n08jp-d.pdf MOSFETs PT3 75V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.