FDP047N08-F102 ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.61 грн |
| 8+ | 104.58 грн |
| 22+ | 99.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP047N08-F102 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP047N08-F102 за ціною від 79.22 грн до 197.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP047N08-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP047N08-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 116A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 168W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 152nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP047N08-F102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP047N08-F102 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 15597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
FDP047N08-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP047N08-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP047N08-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT3 75V |
товар відсутній |