
FDP047N08 ON Semiconductor
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
198+ | 153.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP047N08 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP047N08 за ціною від 103.59 грн до 263.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP047N08 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9415 pF @ 25 V |
на замовлення 32191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP047N08 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDP047N08 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
FDP047N08 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDP047N08 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FDP047N08 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 268W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
FDP047N08 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 164A; Idm: 656A; 268W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 268W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |