FDP047N10 ON Semiconductor


fdp047n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
141+251.05 грн
500+238.08 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP047N10 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FDP047N10 за ціною від 145.34 грн до 402.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP047N10 FDP047N10 ON Semiconductor fdp047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 FDP047N10 onsemi / Fairchild fdp047n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.98 грн
10+340.61 грн
25+145.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 FDP047N10 onsemi fdp047n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.95 грн
50+203.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 FDP047N10 ON Semiconductor fdp047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 fdp047n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+301.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 fdp047n10-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+351.98 грн
10+340.61 грн
25+145.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 fdp047n10-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+402.95 грн
50+203.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 fdp047n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.