FDP047N10 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 253.28 грн |
| 500+ | 240.20 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
141 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP047N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP047N10 за ціною від 154.65 грн до 401.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FDP047N10 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4533 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
 |
FDP047N10 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP047N10 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 259.80 грн |
| FDP047N10 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 303.85 грн |
| FDP047N10 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 374.53 грн |
| 10+ | 362.44 грн |
| 25+ | 154.65 грн |
| FDP047N10 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 401.97 грн |
| 50+ | 203.10 грн |
| FDP047N10 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP047N10 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)