Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP047N10
FDP047N10

FDP047N10 ON Semiconductor

fdp047n10-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+229.61 грн
500+217.76 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP047N10 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP047N10 за ціною від 147.45 грн до 408.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP047N10 FDP047N10 Виробник : ON Semiconductor fdp047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 FDP047N10 Виробник : onsemi / Fairchild fdp047n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.10 грн
10+345.57 грн
25+147.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 FDP047N10 Виробник : onsemi fdp047n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.81 грн
50+206.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 FDP047N10 Виробник : ON Semiconductor fdp047n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047N10 Виробник : ONSEMI fdp047n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.