FDP047N10 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 250.49 грн |
| 500+ | 237.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP047N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP047N10 за ціною від 205.48 грн до 406.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
FDP047N10 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FDP047N10 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 4533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
FDP047N10 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 256.93 грн |
| FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 300.49 грн |
| FDP047N10 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.68 грн |
| 50+ | 205.48 грн |
| FDP047N10 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP047N10 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




