Продукція > ONSEMI > FDP050AN06A0
FDP050AN06A0

FDP050AN06A0 onsemi

fdp050an06a0-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.67 грн
10+159.73 грн
50+123.62 грн
100+105.09 грн
500+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP050AN06A0 onsemi

Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 245W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Інші пропозиції FDP050AN06A0 за ціною від 88.73 грн до 314.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 onsemi / Fairchild 994AFCAECB4F58E47C5381EAEE398DBD9BD59EF3B04DC4FE2598096C1321CCA3.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+260.52 грн
10+117.35 грн
100+93.91 грн
500+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 onsemi fdp050an06a0-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+314.01 грн
10+202.38 грн
100+130.88 грн
500+110.17 грн
1000+102.04 грн
2500+96.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 994AFCAECB4F58E47C5381EAEE398DBD9BD59EF3B04DC4FE2598096C1321CCA3.pdf
FDP050AN06A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.52 грн
10+117.35 грн
100+93.91 грн
500+88.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 fdp050an06a0-d.pdf
FDP050AN06A0
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+314.01 грн
10+202.38 грн
100+130.88 грн
500+110.17 грн
1000+102.04 грн
2500+96.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 fdp050an06a0-d.pdf
FDP050AN06A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 245W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.