Продукція > ONSEMI > FDP050AN06A0
FDP050AN06A0

FDP050AN06A0 onsemi


fdp050an06a0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 7475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.99 грн
50+127.67 грн
100+115.57 грн
500+88.56 грн
1000+82.17 грн
2000+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP050AN06A0 onsemi

Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDP050AN06A0 за ціною від 96.88 грн до 281.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 Виробник : ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf Description: ONSEMI - FDP050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.28 грн
10+178.66 грн
100+142.43 грн
500+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 Виробник : onsemi / Fairchild fdp050an06a0-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.70 грн
10+137.57 грн
100+110.09 грн
250+104.95 грн
500+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 Виробник : ON Semiconductor fdp050an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP050AN06A0 Виробник : ONSEMI fdp050an06a0-d.pdf FDP050AN06A0 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.