Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP053N08B-F102
FDP053N08B-F102

FDP053N08B-F102 ON Semiconductor

fdp053n08b-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP053N08B-F102 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 146W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDP053N08B-F102 за ціною від 60.24 грн до 187.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP053N08B-F102 FDP053N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp053n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102 FDP053N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp053n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102 FDP053N08B-F102 Виробник : onsemi fdp053n08b-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.48 грн
50+86.33 грн
100+82.04 грн
500+65.15 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102 FDP053N08B-F102 Виробник : onsemi / Fairchild FDP053N08B-D.PDF MOSFETs Smart Power Module
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.10 грн
10+88.70 грн
100+73.54 грн
500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102 FDP053N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp053n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102 FDP053N08B-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp053n08b-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP053N08B-F102 Виробник : ONSEMI fdp053n08b-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 480A; 146W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 146W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.