| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.02 грн |
| 10+ | 89.77 грн |
| 100+ | 71.09 грн |
| 500+ | 61.75 грн |
| 1000+ | 60.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP053N08B-F102 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 146W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP053N08B-F102 за ціною від 59.15 грн до 196.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP053N08B-F102 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 146W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|