Технічний опис FDP053N08B-F102 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 146W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP053N08B-F102 за ціною від 64.24 грн до 196.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP053N08B-F102 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 49396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP053N08B-F102 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 146W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FDP053N08B-F102 | onsemi |
MOSFETs Smart Power Module |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FDP053N08B-F102 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Smart Power Module |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 253+ | 140.26 грн |
| FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 49396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 253+ | 140.26 грн |
| FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5960 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 146W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.83 грн |
| 50+ | 94.05 грн |
| 100+ | 84.76 грн |
| 500+ | 64.24 грн |
| FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Smart Power Module
MOSFETs Smart Power Module
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDP053N08B-F102 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Smart Power Module
MOSFETs Smart Power Module
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





