
FDP054N10 ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 223.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP054N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP054N10 за ціною від 151.97 грн до 411.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP054N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP054N10 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 25 V |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP054N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDP054N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDP054N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDP054N10 | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 263 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FDP054N10 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |