Продукція > ONSEMI > FDP060AN08A0
FDP060AN08A0

FDP060AN08A0 ONSEMI

2304122.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.57 грн
10+197.93 грн
100+124.84 грн
500+97.62 грн
1000+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP060AN08A0 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDP060AN08A0 за ціною від 90.81 грн до 289.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDP060AN08A0_D-1807858.pdf MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.62 грн
10+202.07 грн
50+120.80 грн
100+110.55 грн
500+95.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : onsemi fdp060an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.86 грн
50+141.74 грн
100+128.47 грн
500+98.74 грн
1000+91.73 грн
2000+90.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 Виробник : ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.44 грн
7+158.32 грн
19+150.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : ON Semiconductor fdp060an08a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : ON Semiconductor fdp060an08a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.