Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP060AN08A0
FDP060AN08A0

FDP060AN08A0 ON Semiconductor

fdp060an08a0-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+125.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP060AN08A0 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 255W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції FDP060AN08A0 за ціною від 88.85 грн до 283.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 ON Semiconductor fdp060an08a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 onsemi fdp060an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.62 грн
50+138.69 грн
100+125.71 грн
500+96.61 грн
1000+89.75 грн
2000+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 onsemi fdp060an08a0-d.pdf MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 onsemi / Fairchild fdp060an08a0-d.pdf MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 ONSEMI 2304122.pdf Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
FDP060AN08A0
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+155.58 грн
500+147.33 грн
1000+139.08 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
FDP060AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.62 грн
50+138.69 грн
100+125.71 грн
500+96.61 грн
1000+89.75 грн
2000+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
FDP060AN08A0
Виробник: onsemi
MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
FDP060AN08A0
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP060AN08A0 2304122.pdf
FDP060AN08A0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.