| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.18 грн |
| 10+ | 195.13 грн |
| 50+ | 98.46 грн |
| 100+ | 96.36 грн |
| 250+ | 92.87 грн |
| 500+ | 86.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP060AN08A0 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDP060AN08A0 за ціною від 83.09 грн до 305.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP060AN08A0 | Виробник : onsemi |
 MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP060AN08A0 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3 Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 8943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP060AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|