Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP083N15A-F102
FDP083N15A-F102

FDP083N15A-F102 ON Semiconductor

4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP083N15A-F102 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP083N15A-F102 за ціною від 145.46 грн до 447.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Виробник : ON Semiconductor 4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+327.56 грн
41+295.69 грн
50+279.14 грн
100+226.39 грн
500+189.51 грн
800+160.28 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Виробник : ON Semiconductor 4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.78 грн
10+317.55 грн
50+299.77 грн
100+243.12 грн
500+203.52 грн
800+172.13 грн
1000+162.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 Виробник : ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+372.52 грн
4+241.50 грн
10+227.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 Виробник : onsemi fdp083n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.98 грн
50+197.69 грн
100+185.12 грн
500+151.07 грн
1000+145.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 Виробник : onsemi / Fairchild FDP083N15A-D.pdf MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.66 грн
10+216.46 грн
100+178.28 грн
500+170.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 Виробник : ONSEMI 2304644.pdf Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 0.00685 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.76 грн
10+438.61 грн
100+219.73 грн
500+191.29 грн
1000+164.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 Виробник : ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.02 грн
4+300.94 грн
10+272.58 грн
50+263.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Виробник : ON Semiconductor 4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Виробник : ON Semiconductor 4268343290308275fdp083n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.