FDP083N15A-F102 ON Semiconductor
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP083N15A-F102 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP083N15A-F102 за ціною від 150.43 грн до 477.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | Виробник : ONSEMI |
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |