FDP083N15A_F102 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 349.82 грн |
| 41+ | 315.79 грн |
| 50+ | 298.11 грн |
| 100+ | 241.77 грн |
| 500+ | 202.39 грн |
| 800+ | 171.18 грн |
| 1000+ | 162.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP083N15A_F102 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDP083N15A_F102 за ціною від 138.37 грн до 453.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 294W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube On-state resistance: 8.3mΩ Drain current: 83A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDP083N15A-F102 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
на замовлення 11406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDP083N15A-F102 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 117A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDP083N15A_F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |