Продукція > ONSEMI > FDP083N15A-F102
FDP083N15A-F102

FDP083N15A-F102 ONSEMI

fdp083n15a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+380.17 грн
5+262.24 грн
10+232.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP083N15A-F102 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 117A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDP083N15A-F102 за ціною від 138.27 грн до 452.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 onsemi fdp083n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.92 грн
50+200.93 грн
100+183.51 грн
500+143.60 грн
1000+138.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 onsemi / Fairchild FDP083N15A-D.pdf MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.18 грн
10+199.95 грн
100+163.40 грн
500+155.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 onsemi fdp083n15a-d.pdf MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 10301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.59 грн
10+213.60 грн
100+168.98 грн
500+155.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI 2304644.pdf Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.95 грн
10+239.51 грн
100+217.51 грн
500+188.36 грн
1000+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+395.92 грн
50+200.93 грн
100+183.51 грн
500+143.60 грн
1000+138.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-D.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+399.18 грн
10+199.95 грн
100+163.40 грн
500+155.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 10301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+410.59 грн
10+213.60 грн
100+168.98 грн
500+155.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP083N15A-F102 2304644.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP083N15A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 117A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6850µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+452.95 грн
10+239.51 грн
100+217.51 грн
500+188.36 грн
1000+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.