FDP085N10A-F102 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 248.19 грн |
| 10+ | 148.40 грн |
| 100+ | 126.23 грн |
| 500+ | 97.41 грн |
| 1000+ | 89.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP085N10A-F102 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDP085N10A-F102 за ціною від 85.68 грн до 259.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP085N10A-F102 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP085N10A-F102 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
на замовлення 5308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP085N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDP085N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FDP085N10A-F102 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FDP085N10A-F102 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; Idm: 384A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Pulsed drain current: 384A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |