Продукція > ONSEMI > FDP085N10A-F102
FDP085N10A-F102

FDP085N10A-F102 onsemi

fdp085n10a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2695 pF @ 50 V
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.76 грн
50+128.19 грн
100+115.98 грн
500+88.77 грн
1000+82.32 грн
2000+80.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP085N10A-F102 onsemi

Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDP085N10A-F102 за ціною від 84.60 грн до 278.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Виробник : ONSEMI 2729300.pdf Description: ONSEMI - FDP085N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.00735 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00735ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.16 грн
10+143.60 грн
100+122.14 грн
500+94.26 грн
1000+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Виробник : onsemi / Fairchild fdp085n10a-d.pdf MOSFETs 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.95 грн
10+137.90 грн
100+107.41 грн
250+106.67 грн
500+86.81 грн
1000+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp085n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp085n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp085n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP085N10A-F102 Виробник : ONSEMI fdp085n10a-d.pdf FDP085N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.