FDP090N10 ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 83+ | 147.70 грн |
| 1000+ | 122.45 грн |
| 2000+ | 122.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP090N10 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP090N10 за ціною від 102.06 грн до 264.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP090N10 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP090N10 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 75A N-Chan PowerTrench |
на замовлення 8005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP090N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V |
на замовлення 11791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP090N10 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-220 09+ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FDP090N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDP090N10 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDP090N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 300A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FDP090N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A; 208W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 89nC On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 208W Pulsed drain current: 300A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |