| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.09 грн |
| 10+ | 118.36 грн |
| 100+ | 100.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP090N10 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP090N10 за ціною від 98.82 грн до 308.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP090N10 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8225 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 11789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP090N10 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-220 09+ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |