Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDP100N10
FDP100N10

FDP100N10 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003585389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+124.7 грн
Мінімальне замовлення: 159
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP100N10 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP100N10 за ціною від 105.02 грн до 251.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP100N10 FDP100N10 Виробник : onsemi fdp100n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.5 грн
50+ 176.66 грн
100+ 151.42 грн
500+ 126.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP100N10 FDP100N10 Виробник : onsemi / Fairchild FDP100N10_D-2312530.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.21 грн
10+ 226.36 грн
50+ 171.07 грн
100+ 145.97 грн
500+ 129.46 грн
800+ 105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP100N10 FDP100N10 Виробник : ON Semiconductor 4264353930672060fdp100n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній