Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDP12N50
FDP12N50

FDP12N50 Fairchild Semiconductor

FAIRS46527-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
304+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP12N50 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V.

Інші пропозиції FDP12N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP12N50 FDP12N50 Виробник : onsemi fdpf12n50t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50 FDP12N50 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF12N50T_D-1808198.pdf MOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.