FDP14AN06LA0

FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor


FAIRS21810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 14481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+203.82 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FDP14AN06LA0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP14AN06LA0 FAIRS21810-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB14AN06LA0.pdf
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0 FDP14AN06LA0 Виробник : onsemi FDB14AN06LA0.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.