
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.25 грн |
10+ | 195.80 грн |
50+ | 98.49 грн |
100+ | 95.44 грн |
500+ | 86.27 грн |
1000+ | 77.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP150N10 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP150N10 за ціною від 107.87 грн до 246.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP150N10 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDP150N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FDP150N10 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
FDP150N10 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |