Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP150N10
FDP150N10

FDP150N10 ON Semiconductor

fdp150n10-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+225.40 грн
100+223.21 грн
250+221.03 грн
500+211.02 грн
1000+193.43 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP150N10 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP150N10 за ціною від 74.53 грн до 293.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP150N10 FDP150N10 Виробник : onsemi fdp150n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.44 грн
50+111.64 грн
100+105.61 грн
500+82.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10 FDP150N10 Виробник : onsemi / Fairchild FDP150N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.47 грн
10+126.46 грн
100+100.81 грн
500+89.35 грн
1000+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10 FDP150N10 Виробник : ON Semiconductor fdp150n10-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+293.16 грн
100+290.34 грн
250+287.51 грн
500+274.52 грн
1000+251.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10 FDP150N10 Виробник : ON Semiconductor 3676113234088747fdp150n10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10 Виробник : ONSEMI fdp150n10-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 110W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.