Продукція > ONSEMI > FDP150N10A-F102
FDP150N10A-F102

FDP150N10A-F102 onsemi

FDP150N10A.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.58 грн
50+112.21 грн
100+103.79 грн
500+79.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP150N10A-F102 onsemi

Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDP150N10A-F102 за ціною від 85.13 грн до 254.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP150N10A-F102 FDP150N10A-F102 Виробник : ONSEMI FDP150N10A.pdf Description: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0125 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.46 грн
10+227.23 грн
100+115.26 грн
500+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A-F102 Виробник : onsemi / Fairchild FDP150N10A.pdf MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.30 грн
10+129.13 грн
100+100.55 грн
500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor FDP150N10A.pdf
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102
Код товару: 150159
Додати до обраних Обраний товар

FDP150N10A.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp150n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp150n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 FDP150N10A-F102 Виробник : ON Semiconductor fdp150n10a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102 Виробник : ONSEMI FDP150N10A.pdf FDP150N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.