FDP16AN08A0 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.36 грн |
| 14+ | 54.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP16AN08A0 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP16AN08A0 за ціною від 58.37 грн до 181.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP16AN08A0 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDP16AN08A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDP16AN08A0 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDP16AN08A0 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FDP16AN08A0 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FDP16AN08A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP16AN08A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 76.36 грн |
| FDP16AN08A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 365+ | 96.89 грн |
| 500+ | 92.76 грн |
| 1000+ | 87.62 грн |
| FDP16AN08A0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 365+ | 96.89 грн |
| 500+ | 92.76 грн |
| 1000+ | 87.62 грн |
| FDP16AN08A0 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 181.44 грн |
| 50+ | 85.87 грн |
| 100+ | 77.27 грн |
| 500+ | 58.37 грн |
| FDP16AN08A0 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
MOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDP16AN08A0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)