FDP18N50 ON Semiconductor
на замовлення 9921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 110.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP18N50 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP18N50 - MOSFET, N-KANAL, 18A, 500V, TO220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 93.30 грн до 323.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 11950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 12471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP18N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP18N50 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FDP18N50 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP18N50 - MOSFET, N-KANAL, 18A, 500V, TO220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |