FDP18N50 ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 111.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP18N50 ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 235W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm.
Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 103.12 грн до 338.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP18N50 | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 816 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 14111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 14111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 6229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDP18N50 | onsemi |
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDP18N50 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 235W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDP18N50 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 111.02 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 149.88 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 149.88 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 164.23 грн |
| 7+ | 136.17 грн |
| 19+ | 128.74 грн |
| 50+ | 127.92 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 164.92 грн |
| 500+ | 155.43 грн |
| 1000+ | 147.13 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 237.52 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 257.85 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 283.05 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 291.40 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 291.40 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 298.60 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 6229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 307.76 грн |
| 10+ | 195.94 грн |
| 50+ | 152.92 грн |
| 100+ | 130.50 грн |
| 500+ | 107.72 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 338.73 грн |
| 10+ | 218.67 грн |
| 100+ | 141.88 грн |
| 500+ | 119.21 грн |
| 1000+ | 110.43 грн |
| 2500+ | 103.12 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





