
FDP18N50 ON Semiconductor
на замовлення 9921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 102.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP18N50 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 76.87 грн до 256.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 14811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDP18N50 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FDP18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |