Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP18N50
FDP18N50

FDP18N50 ON Semiconductor

5570217110431142fdpf18n50t-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP18N50 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 77.43 грн до 252.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+123.32 грн
100+113.28 грн
250+97.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+132.81 грн
101+121.99 грн
250+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.64 грн
8+128.82 грн
20+121.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+196.77 грн
10+191.00 грн
50+115.38 грн
100+102.36 грн
250+85.01 грн
500+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+211.87 грн
60+205.66 грн
99+124.24 грн
108+110.22 грн
250+91.54 грн
500+83.37 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : onsemi FDPF18N50T-D.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.21 грн
50+137.91 грн
100+123.11 грн
500+99.96 грн
1000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E09C736D7DDF1A303005056AB0C4F&compId=FDP18N50.pdf?ci_sign=55d494820b85954b1657a6cfac6cf1c00f482df4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.14 грн
3+210.15 грн
8+154.59 грн
20+146.16 грн
250+140.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : onsemi / Fairchild FDPF18N50T-D.PDF MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.96 грн
10+229.28 грн
50+118.42 грн
100+108.68 грн
500+95.94 грн
1000+88.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ONSEMI 2304108.pdf Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.24 грн
10+210.20 грн
100+126.96 грн
500+103.06 грн
1000+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 Виробник : ON-Semicoductor FDPF18N50T-D.PDF Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+98.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 Виробник : ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.