Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDP18N50
FDP18N50

FDP18N50 ON-Semiconductor

info-tfdp18n50.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP18N50 ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 235W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm.

Інші пропозиції FDP18N50 за ціною від 82.15 грн до 269.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP18N50 FDP18N50 ON-Semiconductor info-tfdp18n50.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+123.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+156.41 грн
500+148.18 грн
1000+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.82 грн
3+210.87 грн
10+174.05 грн
50+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 onsemi FDPF18N50T-D.PDF Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.81 грн
50+132.18 грн
100+119.80 грн
500+92.08 грн
1000+85.54 грн
2000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI 2304108.pdf Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 onsemi FDPF18N50T-D.PDF MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50 ON Semiconductor fdpf18n50t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 info-tfdp18n50.pdf
FDP18N50
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 fdpf18n50t-d.pdf
FDP18N50
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+123.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 fdpf18n50t-d.pdf
FDP18N50
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+156.41 грн
500+148.18 грн
1000+139.94 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDP18N50.pdf
FDP18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.82 грн
3+210.87 грн
10+174.05 грн
50+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDPF18N50T-D.PDF
FDP18N50
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 6488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.81 грн
50+132.18 грн
100+119.80 грн
500+92.08 грн
1000+85.54 грн
2000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 2304108.pdf
FDP18N50
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 FDPF18N50T-D.PDF
FDP18N50
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 fdpf18n50t-d.pdf
FDP18N50
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50 fdpf18n50t-d.pdf
FDP18N50
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.