Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP20N50F
FDP20N50F

FDP20N50F ON Semiconductor

fdpf20n50ft-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+168.94 грн
250+159.38 грн
500+148.75 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP20N50F ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDP20N50F за ціною від 94.73 грн до 302.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.97 грн
7+148.28 грн
18+140.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.09 грн
50+118.23 грн
100+114.65 грн
500+99.85 грн
1000+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : onsemi / Fairchild FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.86 грн
10+134.66 грн
100+113.27 грн
500+110.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.77 грн
7+184.78 грн
18+168.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ONSEMI 2304618.pdf Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.20 грн
10+227.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F
Код товару: 190678
Додати до обраних Обраний товар

FDPF20N50FT-D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ON Semiconductor fdpf20n50ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ON Semiconductor fdpf20n50ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F Виробник : ON Semiconductor 3674707761302598fdpf20n50ft.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.