Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP20N50F

FDP20N50F

FDPF20N50FT-D.pdf
Код товару: 190678
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP20N50F за ціною від 91.95 грн до 287.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP20N50F FDP20N50F ON Semiconductor fdpf20n50ft-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.43 грн
250+184.01 грн
500+167.48 грн
1000+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI FDPF20N50FT-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.84 грн
3+210.84 грн
4+200.13 грн
10+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.11 грн
50+141.19 грн
100+128.15 грн
500+98.83 грн
1000+91.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F onsemi FDPF20N50FT-D.pdf MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI 2304618.pdf Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F fdpf20n50ft-d.pdf
FDP20N50F
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+188.43 грн
250+184.01 грн
500+167.48 грн
1000+151.95 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.84 грн
3+210.84 грн
4+200.13 грн
10+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.11 грн
50+141.19 грн
100+128.15 грн
500+98.83 грн
1000+91.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F FDPF20N50FT-D.pdf
FDP20N50F
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V N-Channel
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50F 2304618.pdf
FDP20N50F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.