FDP2572 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 184.35 грн |
| 100+ | 147.45 грн |
| 500+ | 120.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
80 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP2572 за ціною від 68.97 грн до 261.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDP2572 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP2572 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP2572 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP2572 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 20A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 78 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDP2572 | onsemi |
MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A |
на замовлення 3187 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDP2572 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 202.25 грн |
| 100+ | 161.76 грн |
| 500+ | 132.08 грн |
| FDP2572 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
MOSFETs TO-220 N-CH 150V 29A
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.01 грн |
| 10+ | 100.74 грн |
| 100+ | 83.89 грн |
| 500+ | 70.90 грн |
| 1000+ | 68.97 грн |
| FDP2572 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.41 грн |
| 10+ | 132.63 грн |
| 50+ | 101.84 грн |
| 100+ | 86.26 грн |
| 500+ | 69.96 грн |
| FDP2572 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 20A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 212.92 грн |
| 10+ | 102.21 грн |
| 26+ | 96.34 грн |
| 50+ | 92.99 грн |