Технічний опис FDP2614 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP2614 за ціною від 145.08 грн до 407.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP2614 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 13354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP2614 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
FDP2614 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDP2614 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDP2614 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 13354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 407.60 грн |
| 50+ | 205.98 грн |
| 100+ | 188.03 грн |
| 500+ | 146.94 грн |
| 1000+ | 145.08 грн |
| FDP2614 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 200V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDP2614 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP2614 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)