| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.89 грн |
| 10+ | 160.30 грн |
| 100+ | 135.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2614 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP2614 за ціною від 146.80 грн до 412.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP2614 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 13354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP2614 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| FDP2614 | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |