на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.98 грн |
| 10+ | 192.75 грн |
| 50+ | 145.52 грн |
| 100+ | 142.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2710 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 260W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP2710 за ціною від 174.24 грн до 319.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP2710 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDP2710 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FDP2710 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |