Продукція > ONSEMI > FDP2D3N10C
FDP2D3N10C

FDP2D3N10C onsemi

fdp2d3n10c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 153574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.73 грн
50+286.93 грн
100+263.43 грн
500+216.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP2D3N10C onsemi

Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 222A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP2D3N10C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP2D3N10C FDP2D3N10C onsemi / Fairchild fdp2d3n10c-d.pdf MOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C FDP2D3N10C ONSEMI 2310546.pdf Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C ONN fdp2d3n10c-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDP2D3N10C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 100/20V inTO220 3L JEDEC GREEN EMC
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C 2310546.pdf
FDP2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP2D3N10C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 222 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 222A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.