FDP2D3N10C onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 490.32 грн |
| 10+ | 477.71 грн |
| 25+ | 243.24 грн |
| 100+ | 223.73 грн |
| 500+ | 222.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2D3N10C onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FDP2D3N10C за ціною від 219.44 грн до 558.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP2D3N10C | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 153574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDP2D3N10C | Виробник : ONN |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |