Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDP3205

FDP3205 Fairchild Semiconductor

Name: FDP3205
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 12477600-3
Price: 21806.72 UAH
Availability: InStock

FAIRS26434-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3

на замовлення 2140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
208+	104.84 грн

Мінімальне замовлення: 208

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDP3205 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3.

Інші пропозиції FDP3205

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	FDP3205	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 59A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.