Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP33N25

FDP33N25

fdp33n25-d.pdf
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 59.66 грн до 255.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP33N25 FDP33N25 ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.53 грн
10+92.58 грн
100+90.39 грн
500+87.12 грн
1000+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+134.55 грн
159+92.59 грн
163+90.40 грн
500+87.13 грн
1000+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 onsemi / Fairchild FDP33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+158.87 грн
10+78.91 грн
100+66.66 грн
500+65.38 грн
1000+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 onsemi fdp33n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 6991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.69 грн
10+130.59 грн
50+100.22 грн
100+84.86 грн
500+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 onsemi fdp33n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 584 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+255.43 грн
10+162.66 грн
100+97.05 грн
500+81.25 грн
1000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.53 грн
10+92.58 грн
100+90.39 грн
500+87.12 грн
1000+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+134.55 грн
159+92.59 грн
163+90.40 грн
500+87.13 грн
1000+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25-D.PDF
FDP33N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.87 грн
10+78.91 грн
100+66.66 грн
500+65.38 грн
1000+59.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 6991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.69 грн
10+130.59 грн
50+100.22 грн
100+84.86 грн
500+68.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 584 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.43 грн
10+162.66 грн
100+97.05 грн
500+81.25 грн
1000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.