FDP33N25 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.86 грн |
| 50+ | 100.44 грн |
| 100+ | 82.65 грн |
| 500+ | 65.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP33N25 onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 58.01 грн до 159.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP33N25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 250V N-Channel MOSFET |
на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDP33N25 |
|
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FDP33N25 Код товару: 107817 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 20.4A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FDP33N25 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 20.4A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |