Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP33N25

FDP33N25

fdp33n25-d.pdf
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 52.39 грн до 188.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDP33N25 FDP33N25 ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.61 грн
10+89.20 грн
100+87.09 грн
500+83.93 грн
1000+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.63 грн
159+89.21 грн
163+87.10 грн
500+83.94 грн
1000+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 onsemi fdp33n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.66 грн
50+89.55 грн
100+80.66 грн
500+61.05 грн
1000+56.35 грн
2000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI ONSM-S-A0003585118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 onsemi / Fairchild FDP33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+129.61 грн
10+89.20 грн
100+87.09 грн
500+83.93 грн
1000+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+129.63 грн
159+89.21 грн
163+87.10 грн
500+83.94 грн
1000+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.66 грн
50+89.55 грн
100+80.66 грн
500+61.05 грн
1000+56.35 грн
2000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 ONSM-S-A0003585118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP33N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25-D.PDF
FDP33N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.