Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDP33N25
FDP33N25

FDP33N25

fdp33n25-d.pdf
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 53.73 грн до 212.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP33N25 FDP33N25 onsemi / Fairchild FDP33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.84 грн
10+73.92 грн
100+62.45 грн
500+61.25 грн
1000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 onsemi fdp33n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.47 грн
50+91.84 грн
100+82.72 грн
500+62.61 грн
1000+57.79 грн
2000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI ONSM-S-A0003585118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.97 грн
10+137.32 грн
100+98.68 грн
500+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25-D.PDF
FDP33N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.84 грн
10+73.92 грн
100+62.45 грн
500+61.25 грн
1000+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.47 грн
50+91.84 грн
100+82.72 грн
500+62.61 грн
1000+57.79 грн
2000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 ONSM-S-A0003585118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDP33N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 235W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+212.97 грн
10+137.32 грн
100+98.68 грн
500+76.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.