Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP33N25
FDP33N25

FDP33N25 ON Semiconductor

fdp33n25jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP33N25 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 60.56 грн до 170.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+113.70 грн
159+78.24 грн
163+76.39 грн
500+73.63 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+121.80 грн
10+83.82 грн
100+81.84 грн
500+78.88 грн
1000+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+142.21 грн
10+112.16 грн
11+91.48 грн
29+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : onsemi fdp33n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.04 грн
50+71.42 грн
100+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : onsemi / Fairchild FDP33N25-D.PDF MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.26 грн
10+80.09 грн
100+67.66 грн
500+66.36 грн
1000+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ONSEMI fdp33n25-d.pdf Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.91 грн
11+85.33 грн
100+83.70 грн
500+75.49 грн
1000+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 20.4A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.65 грн
10+139.77 грн
11+109.78 грн
29+103.10 грн
250+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

fdp33n25-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.