FDP33N25 ON Semiconductor
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 73.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP33N25 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 58.67 грн до 211.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDP33N25 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDP33N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Channel MOSFET |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 235W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDP33N25 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP33N25 | Виробник : ONSEMI |
FDP33N25 THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP33N25 |
|
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDP33N25 Код товару: 107817
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
FDP33N25 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |