Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDP33N25
FDP33N25

FDP33N25 ON Semiconductor

fdp33n25jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP33N25 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDP33N25 за ціною від 62.18 грн до 168.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.50 грн
142+85.96 грн
144+85.14 грн
500+71.74 грн
1000+64.23 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+103.31 грн
50+92.02 грн
100+91.14 грн
500+76.80 грн
1000+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.18 грн
10+110.57 грн
11+90.18 грн
29+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : onsemi fdp33n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.95 грн
50+70.40 грн
100+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : onsemi / Fairchild fdp33n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel MOSFET
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.57 грн
10+77.39 грн
100+66.02 грн
1000+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDP33N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.98 грн
10+87.83 грн
100+83.69 грн
500+72.93 грн
1000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 235W
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.22 грн
10+137.78 грн
11+108.21 грн
29+102.57 грн
250+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25
Код товару: 107817
Додати до обраних Обраний товар

fdp33n25-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP33N25 FDP33N25 Виробник : ON Semiconductor fdp33n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.