FDP3651U

FDP3651U onsemi


fdp3651u-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.94 грн
10+ 141.73 грн
100+ 113.91 грн
500+ 87.82 грн
1000+ 72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP3651U onsemi

Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Інші пропозиції FDP3651U за ціною від 62.81 грн до 181.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP3651U FDP3651U Виробник : onsemi / Fairchild FDP3651U_D-2312531.pdf MOSFET 100V 80A 18 mOHM NCH POWER TREN
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.73 грн
10+ 148.29 грн
100+ 102.36 грн
500+ 84.42 грн
1000+ 65.21 грн
5000+ 62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3651U FDP3651U Виробник : ON Semiconductor 3650005245586517fdp3651u.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+168.73 грн
10+ 151.19 грн
100+ 120.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP3651U FDP3651U Виробник : ONSEMI fdp3651u-d.pdf FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+172.25 грн
10+ 127.51 грн
100+ 102.15 грн
500+ 81.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDP3651U FDP3651U Виробник : ON Semiconductor 3650005245586517fdp3651u.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+181.71 грн
71+ 162.71 грн
100+ 129.95 грн
Мінімальне замовлення: 64
FDP3651U
Код товару: 144911
fdp3651u-d.pdf FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDP3651U Виробник : ONSEMI fdp3651u-d.pdf FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDP3651U THT N channel transistors
товар відсутній
FDP3651U FDP3651U Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS45687-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V
товар відсутній