
FDP3651U ON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 111.44 грн |
10+ | 88.51 грн |
100+ | 83.55 грн |
250+ | 75.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP3651U ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDP3651U за ціною від 69.45 грн до 228.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP3651U | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP3651U | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP3651U | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5522 pF @ 25 V |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDP3651U Код товару: 144911
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FDP3651U | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FDP3651U | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |