Інші пропозиції FDP3651U за ціною від 93.43 грн до 116.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDP3651U | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FDP3651U | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FDP3651U | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDP3651U |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 116.11 грн |
| 10+ | 94.38 грн |
| 50+ | 93.43 грн |
| FDP3651U |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDP3651U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDP3651U |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




